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商品详情
南麟NP4805 30V双P沟道增强型MOSFET
南麟NP4805 30V双P沟道增强型MOSFET
南麟NP4805 30V双P沟道增强型MOSFET
描述
NP4805SR采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和
栅极电压低至4.5V时运行。这
该装置适合用作负载开关或PWM
应用。
一般特征
? VDS=-30V，ID=-8A
RDS（开）（典型值）=24.6m? @VGS=-4.5V
RDS（开）（典型值）=18.7m? @VGS=-10V? 高功率和电流处理能力
? 获得无铅产品
? 表面贴装封装
应用
? PWM应用
? 负荷开关
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