可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
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此外，机场安控感测的需求殷切，加上手机、穿戴装置、工业用感测需求也同步增温，对四元LED产生推波的效果。因应四元LED需求，晶电从去年第2季开始执行扩产计划，即使新产能已释出，仍不敷所需，目前四元的机台达47台，晶电规划再修改13台旧的蓝光机台转进四元LED，也是近年较罕见的四元扩产计划。晶电副总张世贤表示，晶电对这一波四元LED的需求感到意外，已好几年未见这种排队下单的情况，客户是等着抢产能，可以说现在就是缺货的状态。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
结构编辑
大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸

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高闽光团队将FTIR技术成功应用于泉州石化园区，打造了国产FTIR设备的品牌效应。FTIR技术的发展FTIR技术是20世纪80年代兴起的一门光谱学技术。自从20世纪70年代在红外光谱中引进傅里叶变换(FT)以来，大幅度地提高了红外光谱(IR)的灵敏度、波数精度、分辨能力和应用范围。高闽光说：“FTIR具备可测量谱带宽、光谱分辨率高、信噪比高、扫描速度快等特点，因此该技术可以实现多组分气体实时在线监测，在诸多方面得到广泛的应用和推广。

可控硅
管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a）〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b）〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的结构
不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。

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例如，浦项将智能工厂的终极目标只是确定为高度自动化水平的无人值守。有关专家提出，钢铁行业的智能制造要着力解决的问题是，我国尚未建立钢铁生产过程的一体化控制，未形成各层次的协调优化，钢材产品的质量稳定性、可靠性和适用性不高，产品的外形尺寸精度和组织性能的控制尚待提高，在大规模、连续化生产的条件下，产品个性化、定制化亟待加强。与此同时，冶金装备的状态诊断、预测与智能化自愈控制亟待实现，物流、能源的智能控制与优化协同也亟待建立。