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      本发明公开一种掩埋式高亮度发光二极管结构，采用 MOCVD、MBE 或其他设备在基板生产外延层，外延层可以通过键合方式或某种方式转移到另一基板，出光层另一侧作为第一电极，通过掩膜保护，利用干法蚀刻或湿法蚀刻制作掩埋区，蚀刻深度越过有源层，再通过真空溅射设备掩埋区内镀制钝化膜作为隔离层，隔离层上方或附近镀制第二电极。本发明提高了电流的注入效率和发光效率。 

    该发明在掩埋式高亮度发光二极管方面具有较强的创新性和领先性，该项专利将对公司核心技术的提升产生积极的影响。 

    2、商标注册证书 

    注册商标名称：“                   ”； 

    注册商标号：第 7458476 号； 

    核定使用商品(第 9 类)：探测器；太阳电池芯片；激光器外芯片；探测器外芯片；太阳能电池；LED 显示屏；非医用激光器；芯片；太阳能电池模组；太阳能电池发电装置（截止）； 

    注册有效期限：2013 年 6 月 7 日至 2023 年 6 月 6 日止 

    上述商标注册证书的获得，不会对公司的经营业绩产生重大影响，但有利于公司加强对品牌及注册商标的保护，提高公司品牌和市场知名度，防止有关商标侵权事件的发生，从而进一步提升公司的市场竞争力水平。