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XBD/720G-L喷淋加压泵消火栓泵放大图片

产品价格:24   元(人民币)
上架日期:2016年6月29日
产地:上海
发货地:上海  (发货期:当天内发货)
供应数量:不限
最少起订:1台
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上海修界泵业制造有限公司

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  详细说明  
品牌:上海产地:上海
价格:24人民币/台规格:XBD

简要说明:上海牌的XBD/720G-L喷淋加压泵消火栓泵产品:估价:24,规格:XBD,产品系列编号:6768

详细介绍:

  和Windows中都提供了EMM386.EXE。
扩展内存
我们知道,286有24位地址线,它可寻址16MB的地址空间,而386有32位地址线,它可寻址高达4GB的地址空间,为了区别起见,我们把1MB以上的地址空间称为扩展内存XMS(eXtend memory)。
扩展内存图解
扩展内存图解
在386以上档次的微机中,有两种存储器工作方式,一种称为实地址方式或实方式,另一种称为保护方式。在实方式下,物理地址仍使用20位,所以最大寻址空间为1MB,以便与8086兼容。保护方式采用32位物理地址,寻址范围可达4GB。DOS系统在实方式下工作,它管理的内存空间仍为1MB,因此它不能直接使用扩展存储器。为此,Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS-DOS下扩展内存的使用标准,即扩展内存规范XMS。我们常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理扩展内存的驱动程序。
扩展内存管理规范的出现迟于扩充内存管理规范。
高端内存区
在实方式下,内存单元的地址可记为:
段地址:段内偏移
高端内存
高端内存
通常用十六进制写为XXXX:XXXX。实际的物理地址由段地址左移4位再和段内偏移相加而成。若地址各位均为1时,即为FFFF:FFFF。其实际物理地址为:FFF0+FFFF=10FFEF,约为1088KB(少16字节),这已超过1MB范围进入扩展内存了。这个进入扩展内存的区域约为64KB,是1MB以上空间的第一个64KB。我们把它称为高端内存区HMA(High Memory Area)。HMA的物理存储器是由扩展存储器取得的。因此要使用HMA,必须要有物理的扩展存储器存在。此外HMA的建立和使用还需要XMS驱动程序HIMEM.SYS的支持,因此只有装入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。
上位内存
为了解释上位内存的概念,我们还得回过头看看保留内存区。保留内存区是指640KB~1024KB(共384KB)区域。这部分区域在PC诞生之初就明确是保留给系统使用的,用户程序无法插足。但这部分空间并没有充分使用,因此大家都想对剩余的部分打主意,分一块地址空间(注意:是地址空间,而不是物理存储器)来使用。于是就得到了又一块内存区域UMB。
UMB(Upper Memory Blocks)称为上位内存或上位内存块。它是由挤占保留内存中剩余未用的空间而产生的,它的物理存储器仍然取自物理的扩展存储器,它的管理驱动程序是EMS驱动程序。
影子内存
对于细心的读者,可能还会发现一个问题:即是对于装有1MB或1MB以上物理存储器的机器,其640KB~1024KB这部分物理存储器如何使用的问题。由于这部分地址空间已分配为系统使用,所以不能再重复使
内存
内存
用。为了利用这部分物理存储器,在某些386系统中,提供了一个重定位功能,即把这部分物理存储器的地址重定位为1024KB~1408KB。这样,这部分物理存储器就变成了扩展存储器,当然可以使用了。但这种重定位功能在当今高档机器中不再使用,而把这部分物理存储器保留作为Shadow存储器。Shadow存储器可以占据的地址空间与对应的ROM是相同的。Shadow由RAM组成,其速度大大高于ROM。当把ROM中的内容(各种BIOS程序)装入相同地址的Shadow RAM中,就可以从RAM中访问BIOS,而不必再访问ROM。这样将大大提高系统性能。因此在设置CMOS参数时,应将相应的Shadow区设为允许使用(Enabled)。
奇偶校验
奇/偶校验(ECC)是数据传送时采用的一种校正数据错误的一种方式,分为奇校验和偶校验两种。
如果是采用奇校验,在传送每一个字节的时候另外附加一位作为校验位,当实际数据中“1”的个数为偶数的时候,这个校验位就是“1”,否则这个校验位就是“0”,这样就可以保证传送数据满足奇校验的要求。在接收方收到数据时,将按照奇校验的要求检测数据中“1”的个数,如果是奇数,表示传送正确,否则表示传送错误。
同理偶校验的过程和奇校验的过程一样,只是检测数据中“1”的个数为偶数。
CL延迟
CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写,指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小,代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中,这个数值规定为3,而在Intel重新制订的新规范中,强制要求CL的反应时间必须为2,这样在一定程度上,对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高,同时也保证了更优秀的品质。因
内存
内存
此在选购品牌内存时,这是一个不可不察的因素。
还有另的诠释:内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就序状态前等待内存响应的时间。打个形象的比喻,就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜,然后就等待服务员给你上菜。同样的道理,内存延迟时间设置的越短,电脑从内存中读取数据的速度也就越快,进而电脑其他的性能也就越高。这条规则双双适用于基于英特尔以及AMD处理器的系统中。由于没有比2-2-2-5更低的延迟,因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。
通常情况下,我们用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟,例如2-2-2-5。其中,第一个数字最为重要,它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟,接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。
总结
经过上面分析,内存储器的划分可归纳如下:
●基本内存占据0~640KB地址空间。
●保留内存占据640KB~1024KB地址空间。分配给

 


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