芯片基本介绍
ME8109BD8G主要针对适配器、充电器、开板电源、家电类、辅助电源而设计的一款高性能控制芯片。
ME8109BD8G内部集成了一个脉宽调制控制器和一个 650V（600V） 的高压功率 MOSFET。
ME8109BD8G的启动电流很低，电流模式脉宽调制使得在轻载时工作在节能模式。这些特性保证了电源能轻松达到最严苛的能源法规要求。
ME8109BD8G的集成功能包括电流检测的前沿消隐，内部斜率补偿，逐周期峰值电流限制和软启动。 另外，在误动作时，过流保护(OCP)，过压保护
(OVP) 和过载保护 (OLP) 、OTP能为芯片提供充分的保护。总之，ME8109BD8G拥有更好的特性和更低的电源成本.
ME8109BD8G主要特点如下：
1)低待机功耗：通过低功耗间歇工作模式设计，达到小于 100mW超低耗的性能。
2)无噪声工作：优化的芯片设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作，系统最小工作频率控制在 22K左右。
3)更低启动电流：VDD启动电流低至 5uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启动时间。
4)更低工作电流：工作电流约为 1.8mA， 可有效降低系统的损耗,提高系统的效率。
5)内置前沿消隐：内置 220nS前沿消隐（LEB），降低系统成本。
6)内置良好的 OCP 补偿：内置了 OCP 补偿功能，使系统在不需要增加成本的情况下轻易使得全电压范围内系统的 OCP曲线趋向平坦， 提高系统的性价比。
7)完善的保护功能：集成了完善的保护功能模块。OVP，UVLO，OCP，OTP、恒定的 OPP可以使系统设计简洁可靠，同时满足安规的要求。
8)软启动功能：内置 4mS软启动功能,可有效降低系统开机 MOS管漏源之间电压过冲。
9)较少的外围器件：外围比较简单，可有效提高系统的功率密度，降低系统的成本。
10）优良的 EMI 特性： 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统的 EMI 特性，同时可以降低系统的 EMI 成本。