IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
新闻:滁州BSM50GP60大功率IGBT模块
该国出口利润的70%来自钻石行业。政府和行业的相关负责人推动采矿业实现多元化，政府的资金支持是强有力的后盾。商业和政治的透明和悠久的历史，催生了该国各式各样勘探公司的出现，这令博茨瓦纳有了成为非洲南部中心的雄心，该国特别希望成为采矿业中心和金融中心。尽管博茨瓦纳的煤炭储量在非洲位居前列，但该国必须增强国内基础设施建设，以支持其成为国际煤炭生产中心的雄心。对博茨瓦纳最为重要的是，修建一条铁路线，至少能将煤炭从博茨瓦纳内陆运到非洲大陆的海岸线上。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。

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2014年，一句“智能家居元年正式开启”的口号，让无数人在重重迷雾中窥见了一座金山，它正散发着令人目眩神迷的光芒。在这光芒的感召下，他们甚至来不及打点行装就匆匆上路了，盼望能够掘得一桶黄金。然而长路漫漫，迷雾重重，不少人因为钱粮耗尽而倒下了，余者心怀疑虑，却不得不继续迈下前进的步伐。这座名叫“智能家居”的金山究竟只是人们想象，还是真实存在的呢？如果真的存在，它距离我们又还有多远？回溯历史，人类走出洞穴，住进高楼大厦，对于舒适美好生活的渴望从未停止。

测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障.　动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。　注意：若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。　任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。

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国内模具界技术权威对昆山模具产业发展给予高度评价，认为昆山已为建成长三角模具产业重要基地奠定了坚实基础。产业链的逐步形成和完善成为昆山模具“硅谷”的新特点。目前，昆山已经形成以设计制造模具为中端，向原材料供应、模具制造设备、标准件和教育培训两端延伸的一条较为完整的模具产业链。现在，昆山模具企业所需的原材料基本能在本地完成采购。落户该市的硅湖大学和登云大学专门开设了模具专业，培养高层次模具人才。同时，模具区、张浦成人高校等也开展了相关培训，旨在培养模具技工。