IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
新闻:吉林BSM200GA120DN2IGBT模块
蒙特利尔银行认为，去年美联储在年初暗示加息四次，实际只加息一次，今年的情况将一如既往，预计耶伦将发表“鹰语”，但却极少采取行动。CNBC市场资深编辑多姆（PattiDomm）称，耶伦在这次的情人节或将送出“大礼”。另外，偏向鹰派的美联储理事塔鲁洛周五向特朗普递交了辞职信，计划于今年4月5日左右离任。另外，美联储首席法律顾问阿尔瓦雷斯（ScottAlvarez）也将于今年晚些时候退休，这意味着美联储将出现三个理事职位空缺。

IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。

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企业发展两极分化明显，一方面大企业或具备一定特色和核心竞争力的企业实现快速发展，优势资源进一步向行业巨头集聚，以龙头企业为核心的星系化产业集团逐步形成；另一方面，大批依靠低成本进行同质化竞争的小企业在成本上升和价格下降的双重挤压下利润微薄，生存艰难，关、停、并、转时有发生。过去的2016年，不少大企业动作频频，投资加码一片火热，但也有LED电商黑马品一照明、浙江中宙光电等不少企业传出关门的消息，让人叹息。

测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障.　动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。　将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。　注意：若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。　任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。

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今天，美国人买很多中国人在中国制造的东西。明天，美国人将买美国制造的东西，但那是中国机器人制造的。报道称，中国对机器人制造业的发展路程对美国具有一定的启发。多年来，中国的主要卖点是廉价劳动力，但在过去几十年里，中国的人口趋于老龄化，但也变得更富裕，工人的工资增长速度高于中国经济增长速度，政府担心制造商会被高工资赶走，就像美国制造商的工作被中国拿走那样，中国制造商的工作将被印度、越南和其他亚洲的发展中经济体拿走。